Brennstoffzellen und Elektrolyseure

Hythin™ Carbon

PVD-Dünnschicht für metallische Bipolarplatten in Brennstoffzellen und Redox-Flow-Batterien

Technische Daten

Material TiC
Technologie PVD-Sputtern und Lichtbogenverdampfung
Schichtdicke [µm] 100–400 nm
Prozesstemperatur < 250 °C
Farbe Grau bis dunkelgrau
Anwendungshinweis Korrosionsschutz und leitfähige Beschichtungen für PEM-Brennstoffzellen und Redox-Flow-Batterien
Lifetime potential 20.000 – 25.000 Stunden

Hythin™ Gold

Hythin™ Gold ist eine PVD-Dünnschicht für hochleitfähige und korrosionsbeständige Oberflächen. Sie wurde für Wasserstoff- und Dekarbonisierungssysteme entwickelt. Die Beschichtung bietet zuverlässige elektrische Leistung und Oberflächenschutz für metallische Bipolarplatten, Endplatten und Stromkollektoren.

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Hythin™ Iridium

Hythin™ Iridium ist eine PVD-Dünnschicht für anodenseitige Katalysatorschicht-Anwendungen in PEM-Elektrolyseuren. Die Beschichtung wurde für poröse Transportschichten, auch PTLs genannt, entwickelt. Diese arbeiten unter stark oxidativen und elektrochemisch anspruchsvollen Bedingungen in Wasserstoffproduktionssystemen.

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Hythin™ Nickel

Hythin™ Nickel ist eine PVD-Dünnschicht für leitfähige und kosteneffiziente Oberflächen in Wasserstoffproduktionssystemen. Die Beschichtung bietet eine zuverlässige elektrische Leitfähigkeit für metallische Bipolarplatten in AEM-Elektrolyseuren.

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Hythin™ Platinum

Hythin™ Platin ist eine PVD-Dünnschicht für hochleistungsfähige leitfähige Oberflächen in PEM-Brennstoffzellen und PEM-Elektrolyseuren. Die Beschichtung bietet eine ausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit für metallische Bipolarplatten, Endplatten, Stromkollektoren und poröse Transportschichten, auch PTLs genannt.

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Hythin™ Titannitrid

Hythin™ Titannitrid ist eine PVD-Dünnschicht für langlebige und leitfähige Oberflächen in Wasserstoffproduktionssystemen. Die Beschichtung verbindet eine zuverlässige elektrische Leitfähigkeit mit robustem Oberflächenschutz. Sie wurde für metallische Bipolarplatten in PEM-Elektrolyseuren entwickelt.

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